| | | Z-半导体敏感元件原理与应用四 | |
八、 磁敏Z-元件的磁敏特性
磁敏Z-元件的正向伏安特性，可用图9(c)所示电路进行测量，与温敏Z-元件正向伏安特性测量电路与 方法 相同。［6］
磁敏Z-元件在磁场中，其伏安特性曲线形状发生了变化，因而，技术参数也发生了变化。磁场由弱到强的变化过程，技术参数的变化范围如表3所示。
1．阈值磁场：Bth(mT )
磁敏Z-元件置于磁场中，如图10所示。电路中产生了自激振荡，输出信号VO的波形类似于温敏Z-元件的下降沿触发的脉冲频率信号。使Z-元件刚刚起振的磁场，定义为阈值磁场，用Bth表示。
2．磁场范围：B(mT)
磁场范围，表示维持Z-元件正常振荡的磁场，其值为(1~1.5)Bth。
3．频率范围：f(Hz)
Z-元件在磁场中正常的信号频率范围。
4．频率灵敏度：SF(Hz/mT)
磁敏Z-元件
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